发布时间:2021-12-02 编辑:考研派小莉 推荐访问:
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深圳技术大学新材料与新能源学院导师:何斌正文
何斌 副教授
个人介绍:
何斌,副教授,深圳市海外高层次人才(C类)。2008年获北京工业大学材料物理与化学博士学位。2006-2016年于香港城市大学先后任研究助理、副研究员、研究员,2016-2017年任南方科技大学副研究员。1998-2001年曾任中石化胜利油建工程公司助理工程师。2018年2月加入深圳技术大学任副教授。主持及参与承担科研项目10余项,发表论文30余篇,撰写英文专著章节2篇,申请国家发明专利2项。研究方向包括薄膜技术、金刚石及相关材料、纳米结构与应用。
教育背景:
2002.09-2008.06 北京工业大学材料学院,材料物理与化学,博士(硕博连读)
1994.09-1998.06 中国石油大学(华东)机电学院,材料加工与自动化,学士
工作经历:
2018.02-至今 深圳技术大学,新材料与新能源学院,副教授
2016.10-2018.01 南方科技大学,前沿与交叉科学研究院,研究副教授
2006.02-2016.09 香港城市大学,物理与材料科学系,研究助理、副研究员、研究员
1998.07-2001.10 中石化胜利油建工程有限公司,助理工程师、技术员
主要荣誉:
• 2017年入选深圳市海外高层次人才(C类)
研究方向:
1.薄膜技术
2.金刚石及相关材料
3.纳米结构与应用
科研项目:
1.宽带隙半导体立方氮化硼的外延生长及其功率器件应用研究,深圳市基础研究项目(自由探索),项目负责人,2018.03-2020.03
2.CVD单晶金刚石在超精密加工刀具上的应用研究,高端人才启动项目,项目负责人,2018.05-2021.04
3.精密加工刀具用高质量单晶金刚石的合成与应用,校企合作项目,项目负责人,2018.09-2020.08
4.二维过渡金属羟基氧化物纳米材料的可控制备及其在电催化分解水中的应用,国家基金面上项目,参与, 2017.01-2020.12
5.硅纳米线作为锂离子电池负极材料的应用研究,深港合作项目,参与, 2016.02-2018.01
6.外延立方氮化硼薄膜的掺杂及高温半导体特性研究,国家基金面上项目,参与,2012.01-2015.12
7.Synthesis of cubic boron nitride (cBN)/diamond composite coatings on Si3N4 tooling inserts and their applications in mechanical processing, Innovation and Technology Fund from ITC of Hong Kong, Co-I, Apr. 2015 - Sep. 2016.
代表论文:
1. Bin Liu, Bin He, Hui-Qing Peng, Yufei Zhao, Junye Cheng, Jing Xia, Jianhua Shen, Tsz-Wai Ng, Xiangmin Meng, Chun-Sing Lee, Wenjun Zhang, Unconventional nickel nitride enriched with nitrogen vacancies as a high-efficiency electrocatalyst for hydrogen evolution, Advanced Science, 5, 1800406 (2018).
2. Y. Zou, W. Zhang, X. Li, M. Ma, X. Li, C. Wang, B. He, S. wang, Z. Chen, Y. Zhao, B. Li, Pressure-induced anomalies and structural instability in compressed β-Sb2O3, Physical Chemistry Chemical Physics, 20, 11430 (2018).
3. B. He, T.-W. Ng, M.-F. Lo, C.-S. Lee, W.J. Zhang, Surface transfer doping of cubic boron nitride films by MoO3and F4-TCNQ, ACS Applied Materials & Interfaces, 7, 9851−9857 (2015).
4. B. He, M. Qiu, M.F. Yuen, W.J. Zhang, Electrical properties and electronic structure of Si-implanted hexagonal boron nitride films, Applied Physics Letters, 105, 012104 (2014).
5. F. Xu, M.F. Yuen, B. He, C.D. Wang, X.R. Zhao, X.L. Tang, D.W. Zuo, W.J. Zhang, Microstructure and tribological properties of cubic boron nitride films on Si3N4inserts via boron-doped diamond buffer layers, Diamond and Related Materials, 49, 9-13 (2014).
6. B. He, Y. Yang, M.F. Yuen, X.F. Chen, C.S. Lee, W.J. Zhang, Vertical nanostructure arrays formed by plasma etching for applications in biology, energy and electronics, Nano Today, 8, 265-289 (2013).
7. Z.Q. Yao, B. He, L. Zhang, C.Q. Zhuang, T.W. Ng, S.L. Liu, M. Vogel, A. Kumar, W.J. Zhang, C.S. Lee, S.T. Lee, X. Jiang, Energy band engineering and controlled p-type conductivity of CuAlO2thin films by nonisovalent Cu-O alloying, Applied Physics Letters, 100, 062102 (2012).
8. Y.B. Zhou, B. He, Y. Yang, F. Wang, W.M. Liu, et al. Construct hierarchical superhydrophobic silicon surfaces by chemical etching, Journal of Nanoscience and Nantoechnology, 11, 2292-2297 (2011).
9. B. He, W.J. Zhang, Z.Q. Yao, Y.M. Chong, Y. Yang, Q. Ye, X.J. Pan, J.A. Zapien, I. Bello, S.T. Lee, I. Gerhards, H. Hofsäss, P-type conduction in beryllium-implanted hexagonal boron nitride films, Applied Physics Letters, 95, 252106 (2009).
10. B. He, W.J. Zhang, Y.S. Zou, Y.M. Chong, Q. Ye, A.L. Ji, Y. Yang, I. Bello, S.T. Lee, G.H. Chen, Electrical properties of Be-implanted polycrystalline cubic boron nitride films, Applied Physics Letters, 92, 102108 (2008).
专著章节:
1. Bin He, Wenjun Zhang, II-VI Semiconductors and Their Device Applications, in“Handbook of Chalcogen Chemistry: New Perspectives in Sulfur, Selenium and Tellurium”, Francesco Antonio Devillanova and Wolf-Walther du Mont (editors), 2nd Edition, Volume 2, pp.180-231, RSC publishing, 2013. ISBN: 9781849736244.
2. W. J. Zhang, Y. M. Chong, B. He, I. Bello, S. T. Lee, Cubic Boron Nitride Films: Properties and Applications. In“Comprehensive Hard Materials”, V.K. Sarin (Editor-in-Chief) & C.E. Nebel (Vol. Ed.), pp.607-639, Elsevier, 2014. ISBN: 9780080965277.
代表专利:
1. 何斌,张文军.一种立方氮化硼涂层刀具及其制备方法.中国发明专利,公开号CN108396309A.
2. 邓金祥,陈光华,何斌,等.立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法.中国发明专利,专利号ZL200710178682.5.
联系方式:
电子邮箱:hebin@sztu.edu.cn
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