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中国科技大学合肥微尺度物质实验室导师:孙治湖正文
姓名: | 孙治湖 |
职称: | 副研究员 |
电话: | 0551--3601992-1062 |
传真: | 0551--5141078 |
邮箱: | zhsun@ustc.edu.cn |
网站: |
个人详细信息
1.个人学习、工作及研究经历:
1975年1月1日生,湖南益阳人。1993年考入中国科学技术大学材料科学与工程系,2000年7月于该系获得硕士学位,随后进入中国科学技术大学国家同步辐射实验室攻读博士学位。2004年1月博士毕业后,留在国家同步辐射实验室工作。从2002年3月至2003年3月在日本产业技术总合研究所(AIST)进行博士联合培养,2007年10月至2009年9月,在日本AIST进行博士后研究工作。
2.主要研究方向:
功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究,磁性半导体的结构和性能及其相互关系,IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。
3.代表性科研成果:
(1)设计、发展和利用原位化学反应发生装置,深入研究了Au、CdSe等金属和半导体纳米颗粒在初期成核和生长的动力学过程,在J.Am.Chem.Soc.、J.Phys.Chem.C和Appl.Phys.Lett.等国际高影响力杂志上发表了系列研究论文。
(2)利用变温原位同步辐射XAFS装置,成功地研究了高温退火法制备的高纯VO2材料在升温和降温过程中的原子结构和电子结构信息以及变化规律,在物理学科国际顶级刊物上发表研究论文[Phys.Rev.Lett.105, 226405 (2010)]。
(3)从理论和实验两方面研究了一系列半导体、磁性半导体材料的结构、性能及其相互关系,在Phys.Rev.B和Appl.Phys.Lett.等著名杂志上发表了一系列研究论文。
(4)在利用多重散射XAFS方法研究IV和III-V族半导体薄膜、量子点以及超硬多层膜的初期生长机理、界面扩散行为、晶格畸变等研究领域,以第一作者在凝聚态物理学领域的top期刊Phys.Rev.B上发表了连续论文。
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