桂林电子科技大学信息与通信学院导师：李海鸥

发布时间：2021-11-20 编辑：考研派小莉推荐访问：

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桂林电子科技大学信息与通信学院导师：李海鸥正文

[导师姓名]
李海鸥

[所属院校]
桂林电子科技大学

[基本信息]
导师姓名：李海鸥
性别：
人气指数：5412
所属院校：桂林电子科技大学
所属院系：信息与通信学院
职称：教授
导师类型：硕导/博导
招生专业：电子科学与技术、宽带通信网络与技术、集成电路工程（专业学位）
研究领域：微波集成电路设计、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件

[通讯方式]
电子邮件：lihaiou@guet.edu.cn

[个人简述]
湖南娄底人，工学博士，教授，博士生导师，教育部 “新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“杰出青年基金”获得者、入选桂林电子科技大学首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系，专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院，专业电工理论与新技术，获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所，专业微电子学与固体电子学，获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMay Luo实验室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye 团队做访问学者。2010年12月至今，任教桂林电子科技大学信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项，其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西杰出青年自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金（重点）1项等，科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇，以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇，包括微电子学顶级刊物IEEE Electron Device Letters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部（第二），获得广西自然科学二等奖1项（排名第一），中国电子科技集团技术发明二等奖1项（排名第三）。 1、2006年入选“香港内地人才输入计划”；2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者；3、2013年广西“杰出青年基金”获得者；4、2014年为桂林电子科技大学学术带头人；5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选；6、2017年桂林电子科技大学首届“英才计划”人选；7、2018年广西区优秀专家人选。

[科研工作]
（1）Haiou Li（李海鸥）, Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鸥） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鸥）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954（4）Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*（李海鸥）, Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319（5）Xiao-fengWu，Shi-gang Hu，H.O. Li*（李海鸥）, Jin Li，Zai-fang Xi，Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor，Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206（6）WU XiaoFeng，LIU HongXia， H.O. Li*（李海鸥），LI Qi，HU ShiGang，XI ZaiFang， ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates，SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391（7）Ming Li, H.O. Li（李海鸥）, Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500（8）HaiOu LI（李海鸥）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648（9）H.O. Li（李海鸥）, Zhihong Feng，C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226（10）H.O. Li（李海鸥）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564 1. 广西自然科学基金项目（重点）,常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.082.国家自然科学基金面上项目，61474031，硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备，2015/01-2018/12，89万元，在研，主持3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选，2015年，电子科学与技术4.国家自然科学基金面上项目，61274077，硅基GaN HEMTs 超级结器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86万元，已结题，主持5.中国博士后科学基金委（特别资助）,硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，2013年，电子科学与技术

[教育背景]
1997.7 毕业于湖南大学，电子工程专业，大学；2003.4 毕业于湖南大学，电工理论与新技术，硕士；2006.6 毕业于中科院微电子研究所，微电子学与固体电子学，博士；2006-6-2010.12 香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后（第一站）；2011.12-2014.12 中国电子科技集团58所，博士后（第二站）；2014.9-2015.9 美国普渡大学，访问学者

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