大连理工大学土木工程学院导师：裴华富

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大连理工大学土木工程学院导师：裴华富正文

[导师姓名]
裴华富

[所属院校]
大连理工大学

[基本信息]
导师姓名：裴华富
性别：男
人气指数：2231
所属院校：大连理工大学
所属院系：土木工程学院
职称：副教授
导师类型：硕导/博导
招生专业：岩土工程

[通讯方式]
办公电话：04118470
电子邮件：huafupei@dlut.edu.cn

[个人简述]
1994年7月至今，在大连理工大学物理学院工作，为大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室固定研究人员。作为主要参与者，参加了大连理工常州研究院有限公司和大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室联合申请的常州市重大公共技术服务平台—“材料表面工程技术与装备创新服务平台”建设。
1994年和2000年作为主要参与者，先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）设备的设计和建造工作；2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备，并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今，作为主要参加者还参与了氮化镓（GaN）基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目（No.715-011-0033）和一项国家重大基础研究（973）专项项目等,在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。
主持或参加科研项目及人才计划项目情况（按时间倒序排序）：
1、国家自然科学基金面上项目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其钝化研究、2015/01-2018/12、79万元、在研、参加。
2、国家自然科学基金面上项目，51102034、GaN纳米线阵列的晶体缺陷控制及其光学特性、2012/01-2014/12、25万元、已结题、参加。
3、国家自然科学基金主任基金，61040058、AlN/自持金刚石厚膜结构高频声表面波滤波器的研制、2011/01-2011/12、10万元、已结题、参加。
4、国家自然科学基金面上项目，60976006、掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性、2010/01-2010/12、10万元、已结题、主持。
5、国家自然科学基金面上项目，60476008、GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性、2004/01-2006/12、24万元、已结题、主持。
6、国家自然科学基金面上项目，69976008、自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性、2000/01-2002/12、15.3万元、已结题、参加。
7、国家863项目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基蓝绿光激光材料的ECR等离子体辅助低温生长、1997/01-2000/12、60万元、已结题、参加。
8、国家自然科学基金面上项目，69576003、GaN膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长与特性研究、1996/01-1998/12、11.5万元、已结题、参加。
近年来发表的研究论文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授权发明专利
[1]秦福文，林国强，刘勤华，金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，2014.12.17，中国，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林国强，刘勤华，采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备，2014.12.17，中国，ZL201210247144.8。

[科研工作]
作为主要参与者，参加了大连理工常州研究院有限公司和大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室联合申请的常州市重大公共技术服务平台—“材料表面工程技术与装备创新服务平台”建设。
1994年和2000年作为主要参与者，先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）设备的设计和建造工作；2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备，并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今，作为主要参加者还参与了氮化镓（GaN）基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目（No.715-011-0033）和一项国家重大基础研究（973）专项项目等,在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。
主持或参加科研项目及人才计划项目情况（按时间倒序排序）：
1、国家自然科学基金面上项目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其钝化研究、2015/01-2018/12、79万元、在研、参加。
2、国家自然科学基金面上项目，51102034、GaN纳米线阵列的晶体缺陷控制及其光学特性、2012/01-2014/12、25万元、已结题、参加。
3、国家自然科学基金主任基金，61040058、AlN/自持金刚石厚膜结构高频声表面波滤波器的研制、2011/01-2011/12、10万元、已结题、参加。
4、国家自然科学基金面上项目，60976006、掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性、2010/01-2010/12、10万元、已结题、主持。
5、国家自然科学基金面上项目，60476008、GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性、2004/01-2006/12、24万元、已结题、主持。
6、国家自然科学基金面上项目，69976008、自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性、2000/01-2002/12、15.3万元、已结题、参加。
7、国家863项目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基蓝绿光激光材料的ECR等离子体辅助低温生长、1997/01-2000/12、60万元、已结题、参加。
8、国家自然科学基金面上项目，69576003、GaN膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长与特性研究、1996/01-1998/12、11.5万元、已结题、参加。
近年来发表的研究论文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授权发明专利
[1]秦福文，林国强，刘勤华，金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，2014.12.17，中国，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林国强，刘勤华，采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备，2014.12.17，中国，ZL201210247144.8。

[教育背景]
2013.4-2016.1香港科技大学土木工程博士后2009.3-2012.3香港理工大学土木与环境工程博士2006.9-2008.12哈尔滨工业大学结构工程硕士2002.9-2006.7东北农业大学水利水电工程学士1998.9-2002.7安丘市第四中学
本文来源：http://m.okaoyan.com/dalianligongdaxue/daoshi_519472.html